型式规格 DP-13B-7

· 基板尺寸:300mm

· 下研磨盘直径: 1060*492*45(mm)

· 加压压力: 可向下加压400Kg，自重压力350Kg

· 设备尺寸: L1690*W1340*H2650(mm)

· 行星轮：7片

· 下盘轴承：哈轴或洛轴

· 抛光主电机：11KW

· 研磨液泵/搅拌桶：180W

· 入力电源：3Φ4W AC380V 50Hz

· 耗风量：100 L/ cycle

· 主气缸：?140X450mm

· 齿轮升降高度：35mm

· 总耗电量：18KVA

· 重量：3700Kg

· ．外齿圈采用气缸驱动升降，其位置高低可调整，满足了客户取放工件及调整游轮载体啮合位置的要求，提高了内齿圈及外齿圈的使用寿命。

 ．内齿圈直径减小，实用面积增大，比同类机型提高20%左右的生产效率。

 ．主电机分别采用7.5KW、11KW及15KW，比同类机型节能30%。

 ．上盘于上定位时采用气缸自锁装置，防止上盘突然落下，避免工伤事故的发生。

  · 产品功能 /

  · 本机主要用于压晶体管、化合物半导体、硅晶体、光学玻璃、陶瓷片、金属材料及其它硬脆性材料的高精度、高效率的双面研磨工作。

· 产品优点 /

．整机采用龙门结构，主体采用箱形结构，整体刚性好。

．采用变频器配合变频马达带动传动结构运转，实行了缓启动缓停止，速控稳定，冲击小，平稳可靠。

．上盘单独设置了快升、快降、缓升、缓降装置，可根据客户加工不同的产品进行选择。

抛光机的工作原理是：抛光台上表面装有抛光垫并旋转，硅片夹持在抛光头承载器中碎抛光头承载器的运动压紧到抛光垫上并旋转和摆动。同时向抛光垫与硅片接触的区域浇注抛光液，抛光液中的化学溶液将硅片表面层腐蚀成松软的物质，同时抛光液中的氧化铝等磨料作为研磨剂，利用抛光垫与硅片之间摩擦作用去除硅片表面的腐蚀层，这样在不断的化学腐蚀和机械去除的综合作用下，不断将硅片表面的细微去除，从而达到抛光效果：

抛光垫修整器是安装有毛刷或端面金刚石磨轮的机构，通过旋转、向下加压并摆动，来清理抛光垫表面沉积物或修整抛光垫表面，以维持抛光垫的去除率，在专栏文章《六维度拆解安集科技：抛光液打破美日垄断，携手鼎龙股份自主可控》一文中笔者对抛光液、抛光垫及抛光垫修整器及行业规模、竞争格局等做了相应的介绍。

在实际工作中抛光机有多片单面抛光机和多片双面抛光机两种。由于化学机械抛光工艺加工效率较低、加工成本较高，在实际作业中通常直径小于200mm的硅片通常是在研磨片的基础上对硅片一面进行抛光，在制造工艺上一般采用多片单面抛光机加工，即在一个抛光台上采用多抛光头同时抛光，以提高抛光效率、降低抛光成本：

200/300mm的硅片采用多片双面抛光工艺，双面抛光机是在双面研磨剂的基础上，在上、下抛光盘上装有抛光垫，增加抛光液供给/回收装置，可同时进行多片抛光：

值得注意的是由于后道工艺对300mm硅片加工后的面型精度要求增高，设备体积增大，所以设备制造精度和控制精度相对更高。为了减小硅片装载、卸载时操作中容易碎片的风险，一些300mm双面抛光机还集成了硅片自动装载/卸载单元装置: